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光刻曝光系统的现状及发展

巩岩,  张巍

文章导航 >   > 2008 >  1(1): 25-35.
巩岩, 张巍. 光刻曝光系统的现状及发展[J]. , 2008, 1(1): 25-35.
引用本文: 巩岩, 张巍. 光刻曝光系统的现状及发展[J]. , 2008, 1(1): 25-35.
shu
GONG Yan, ZHANG Wei. Present status and progress in 193 nm exposure[J]. Chinese Optics, 2008, 1(1): 25-35.
Citation: GONG Yan, ZHANG Wei. Present status and progress in 193 nm exposure[J]. Chinese Optics, 2008, 1(1): 25-35.
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光刻曝光系统的现状及发展

  • 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所 应用光学国家重点实验室

详细信息
    通讯作者:

    巩岩

  • 中图分类号: TN305.7

Present status and progress in 193 nm exposure

  • State Key Laboratory of Applied Optics,Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,Chinese Academy of Sciences

    摘要
  • 摘要: 投影曝光工艺是集成电路制造过程中的关键环节，曝光系统的工艺水平已成为衡量微电子制造技术的重要标志。重点介绍了目前193 nm光刻设备曝光系统的发展现状和趋势，以及为提高曝光质量所采用的相关分辨率增强技术；通过分析曝光系统的构成和其中的关键技术，探讨了国内研制相关曝光设备所面临的挑战。