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用于日盲波段的MgZnO薄膜材料和紫外探测器

张吉英,蒋大勇,鞠振刚,申德振,姚斌,范希武

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张吉英, 蒋大勇, 鞠振刚, 申德振, 姚斌, 范希武. 用于日盲波段的MgZnO薄膜材料和紫外探测器[J]. , 2008, 1(1): 80-84.
引用本文: 张吉英, 蒋大勇, 鞠振刚, 申德振, 姚斌, 范希武. 用于日盲波段的MgZnO薄膜材料和紫外探测器[J]. , 2008, 1(1): 80-84.
ZHANG Ji-ying, JIANG Da-yong, JU Zhen-gang, SHEN De-zhen, YAO Bin, FAN Xi-wu. MgxZn1-xO thin film and UV detector for solar blind wavelength[J]. Chinese Optics, 2008, 1(1): 80-84.
Citation: ZHANG Ji-ying, JIANG Da-yong, JU Zhen-gang, SHEN De-zhen, YAO Bin, FAN Xi-wu. MgxZn1-xO thin film and UV detector for solar blind wavelength[J].Chinese Optics, 2008, 1(1): 80-84.

用于日盲波段的MgZnO薄膜材料和紫外探测器

详细信息
    通讯作者:

    张吉英

  • 中图分类号:TN304.21; TN23

MgxZn1-xO thin film and UV detector for solar blind wavelength

  • 摘要:考虑ZnO优秀的物理和化学性能以及由于生长温度低而具有更低的缺陷密度从而易于实现高的光电器件效率等特点,本文采用射频磁控溅射和金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法在石英及蓝宝石衬底上生长了立方结构MgZnO薄膜,制备了MgZnO的MSM型紫外探测器。该器件实现了在日盲(太阳盲)波段的光响应,典型的光响应峰值分别在225和250 nm,截止边为230和273 nm。

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出版历程
  • 收稿日期:2008-08-11
  • 修回日期:2008-09-15
  • 刊出日期:2008-12-01

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